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Samsung三星半导体代理商-原厂直供首选【升邦】

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品牌: Samsung三星
单价: 8.00元/PCS
起订: 10 PCS
供货总量: 1120 PCS
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 广东 深圳市
有效期至: 长期有效
最后更新: 2016-02-28 16:47
浏览次数: 486
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公司基本资料信息
 
 
产品详细说明
 SAMSUNG SDRAM/DDR 系列产品特点:

•高速度— 1600Mbps的DDR3能迎合需要高速效的数码电视、STB、蓝光播放机和网络设备;
•低功耗 —DDR3(1.5V) 的电压比DDR2(1.8V)低,能减低系统的耗电量; 
•工作温度范围宽 - 最新的Q版本工作温度在-40 to +105;
•高品质 - 由于是国内生产与加工,无形中降低了很多成本。广泛应用于数码类以及消费类电子产品中;  
•产线长 - SAMSUNG已拥有全系列的DRAM产品。其中以TSOP-II和FBGA封装的128Mb~256Mb SDRAM、128Mb~512Mb DDR。

SAMSUNG SDRAM系列规格参数
Part Number Density ory Bank Package/Speed Refresh   Power(V) Package
K4S640832N-LC75 64Mb N-die 8M*8 4Banks LC(L)75 4K/64ms 3.3±0.3V 54pin TSOP(II)
K4S641632N-UC80 4M*16 LC(L)50/C(L)60/C(L)75 4K/64ms 3.3±0.3V
K4S280832K-UC75

128Mb K-die

128Mb O-die

16M*8 4Banks UC(L)75 4K/64ms 3.3±0.3V 54pin TSOP(II)
K4S281632K-UC75

8M*16

16M*8

4Banks LC(L)50/C(L)60/C(L)75 4K/64ms 3.3±0.3V 54pin TSOP(II)
K4S281632O-LC75 8M*16  4Banks LC(L)50/C(L)60/C(L)75 4K/64ms 3.3±0.3V 54pin TSOP(II)
K4S560432J-UC75 256Mb J-die 64M*4 4Banks UC(L)75 8K/64ms 3.3±0.3V 54pin TSOP(II)
K4S560832J-UC75 32M*8 UC(L)75
K4S561632J-UC75 16M*16 UC(L)60/C(L)75
K4S560432N-LC75 256Mb N-die 64M*4 4Banks UC(L)75 8K/64ms 3.3±0.3V 54pin TSOP(II)
K4S560832N-LC75 32M*8 UC(L)75
K4S561632N-LC60 16M*16 UC(L)60/C(L)75
SAMSUNG DDR SDRAM系列规格参数
Part Number Density ory Bank Package/Speed Refresh   Power(V) Package
K4H641638N-LCCC 64Mb N-die 4M*16 4Banks LC(L)CC 4K/64ms 2.5±0.2V 66PinTSOPII
FC(L)CC 60BallFBGA
K4H641638Q-LCCC 64Mb Q-die 4M*16 4Banks LC(L)CC 4K/64ms 2.5±0.2V 66PinTSOPII
K4H281638L-LCCC 128Mb L-die 8M*16 4Banks LC(L)CC/C(L)CC 4K/64ms 2.5±0.2V 66PinTSOPII
K4H281638O-LCCC 128Mb O-die 8M*16 4Banks LC(L)CC/C(L)B3 4K/64ms 2.5±0.2V 66PinTSOPII
K4H560438J-LCB3 256Mb J-die 64M*4 4Banks LC(L)B3/C(L)B0 8K/64ms 2.5±0.2V 66PinTSOPII
K4H560838J-LCCC 32M*8 LC(L)CC/C(L)B3
K4H561638J-LCB3 16M*16 LC(L)CC/C(L)B3
K4H560438N-LCB0 256Mb N-die 64M*4 4Banks LC(L)B3/C(L)B0 8K/64ms 2.5±0.2V 66PinTSOPII
K4H560838N-LCCC 32M*8 LC(L)CC/C(L)B3
K4H561638N-LCCC 16M*16 LC(L)CC/C(L)B3
K4H510438F-HCCC 512Mb F-die 128M*4 4Banks LC(L)B3/C(L)B0 8K/64ms 2.5±0.2V 66PinTSOPII
HC(L)CC/C(L)B3 60BallFBGA
K4H510438F-HCCC 64M*8 LC(L)CC/C(L)B3 66PinTSOPII
HC(L)CC/C(L)B3 60BallFBGA
K4H511638F-LCB3 32M*16 LC(L)CC/C(L)B3 66PinTSOPII
HC(L)CC/C(L)B3 60BallFBGA
K4H510438G-HCCC 512Mb G-die 128M*4 4Banks LC(L)CC/C(L)B3 8K/64ms 2.5±0.2V 66PinTSOPII
HC(L)CC/C(L)B3 60BallFBGA
K4H510838G-LCCC 64M*8 LC(L)CC/C(L)B3 66PinTSOPII
HC(L)CC/C(L)B3 60BallFBGA
K4H511638G-LCB3 32M*16 LC(L)CC/C(L)B3 66PinTSOPII
HC(L)CC/C(L)B3 60BallFBGA
SAMSUNG DDR2 SDRAM系列规格参数
Part Number Density ory Bank Package/Speed Refresh   Power(V) Package
K4T28163QO-HCE6 128Mb O-die 8M*16 4Banks HCF8/E7/F7/E6 4K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
K4T56163QI-ZCF7 256Mb I-die 16M*16 4Banks HCE7/F7E6/D5/CC 8K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
K4T56163QN-HCE6 256Mb N-die 16M*16 4Banks HCF8/E7F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
K4T51083QG-HCE6 512Mb G-die 64M*8 4Banks HC(L)F8/E7F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 60BallFBGA
K4T51163QG-HCF8 32M*16 HC(L)F8/E7F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
K4T51043QI-HCE6 512Mb I-die 128M*4 4Banks HC(L)E7/F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 60BallFBGA
K4T51083QI-HCE6 64M*8 HC(L)E7F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V
K4T51163QI-HCE7 32M*16 HC(L)F8/E7/F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
K4T1G084QE-HCF7 1Gb E-die 128M*8 8Banks HC(L)F8/E7/F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 60BallFBGA
K4T1G164QE-HCE7  64M*16 HC(L)F8/E7/F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
K4T1G084QF-BCF8 1Gb F-die 128M*8 8Banks HC(L)F8/E7/F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 60BallFBGA
K4T1G164QF-BCE7 64M*16 HC(L)F8/E7/F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
SAMSUNG DDR3 SDRAM系列规格参数
Part Number Density ory Bank Package/Speed Refresh   Power(V) Package
K4B1G0846E-HCH9 1Gb E-die 128M*8 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.5±0.075V 78BallFBGA
K4B1G1646E-HCH9 64M*16 HC(L)F7/F8/H9/K0 96BallFBGA
K4B2G0846E-MCF 2Gb B-die 256M*8 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.5±0.075V 78BallFBGA
K4B2G1646E-HCN9 128M*16 HC(L)F7/F8/H9/K0 96BallFBGA

 

 
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